太多資訊,乾脆用回文的方式
先說結論
MU2和MU3都是公版設計+公版韌體,沒有啥特別的
反正我個人不推就是惹
與其不斷糾結倒不如買貴一點,但更優秀的產品,至少不用想來想去
MU2:
PHISON PS3110-S10
第三方封裝Toshiba 15nm TLC
MU3:
PHISON PS3111-S11(無快取DRAM)
第三方封裝Toshiba 15nm TLC
a.
這裡指的快取DRAM是給主控加載FTL的映射表或是當快取存一些資料用的
(一般來說為了加強SSD性能,所以會從NAND Flash將映射表加載到快取DRAM內)
無快取DRAM的SSD顧名思義就是沒有額外的快取DRAM,節省成本且多少也可降低一點耗電量
而FTL的映射表就改存放在主控SRAM中
網路挖到PS3111-S11的資料後,看一看才知道是有內建32MB的SDRAM("32M SDR")
依照推文uchiyama所提供的訊息來看PS3111-S11是用SDRAM和主控封裝在一起的形式
至於沒快取DRAM的話,日常頂多影響4KB QD1隨機讀這種需要低延遲的性能表現
(用戶不會感覺到有差)
但SRAM容量終究比不上可外加的快取DRAM=>需要常加載映射表
通常DRAMless SATA SSD主控性能也貧弱=>多少會影響高壓下的性能表現
這兩點結合起來,最終也就造成此類主控在高壓性能對比的墊底常客了
另外一點是通常SSD容量越大,需要更大的快取DRAM來儲存映射表(也提升額外的成本)
但大容量也代表開通的通道數更多,提升性能
而DRAMless SSD則是容量越大,沒辦法直接存取所有映射表的限制就越顯著
當需存取的資料不在SRAM的映射表裡就需要再加載,再加載就會增加延遲,影響性能
(可對比Tom's hardware的TR200不同容量評測)
b.
而SLC Mode則是一種NAND Flash的運作模式,和快取DRAM毫無關聯
SLC Mode就是將TLC或是2-Bit MLC NAND只編程Lower Page(模仿SLC NAND)
而Lower Page的編程速度最快,且這樣也能提升耐久度
(理論上這SLC Mode區塊耐久度會提升到接近SLC NAND)
這樣就讓SSD在SLC Mode時寫入速度快,也不至於影響使用觀感
(然後在閒置時或塞滿時fold進MLC/TLC區塊)
運用這種模式的話這開啟SLC Mode的部分又叫做SLC Cache,模擬SLC或pSLC(pseudo)
TurboWrite,PlexNitro則是廠商自稱的名子
不過SLC Cache終究是SLC Cache,雖有寫入速度高的最大優勢
但寫超過SLC Cache的區塊後就是原生MLC或TLC的寫入速度了
而常見的快餐跑分測的當然也會是只到SLC Cache的區塊(如只有5GB的AS SSD)
更細的部分請看下面這篇,關鍵字"Copy back"
http://bbs.pceva.com.cn/thread-135467-1-1.html
而SLC Mode有分三種實現方法:(不多做解釋了)
1.全碟SLC Mode(如Toshiba Q Series Pro)
2.動態SLC Mode(如美光Dynamic Write Acceleration)
3.固定容量SLC Mode(如SanDisk Ultra II)
c.
網路指的不同批次會有不同顆粒,這其實只有在建興睿速T9發生(這顆爭議很大)
其它就是LiteOn自家的命名方式很雜亂罷了
以上,有錯誤還請高人指正
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姐姐 姐姐 我們好像變成簽名檔了
雷姆,雷姆 好像真的是這麼一回事呢
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