拆解索尼最新ImageSensor:果然安装了内存 - 手機討論

By Zanna
at 2017-07-19T18:46
at 2017-07-19T18:46
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https://goo.gl/NxZJGC
拆解索尼最新Image Sensor:果然安装了内存
在今年二月舉行的國際固態電路會議(ISSCC)期間,Sony宣布推出“業界首款配備DRAM的
三層堆棧式CMOS影像傳感器”,這款型號為IMX400的三層堆棧式感光組件(Exmor RS)是專
為智能手機而打造的。
為了加速影像數據處理,業界多年來一直流傳著在互補金屬氧化物半導體(CMOS)影像傳感
器中配備嵌入式動態隨機存取內存(DRAM)的種種消息,但至今尚未看到任何相關產品投入
生產或實際上市。
Sony在ISSCC會議上發表的研究論文揭露了新款感光組件的相關細節,它確實看來像是真
有那麼回事,這當然馬上引起了我們在TechInsights的影像傳感器專家們的關注。接著,
Sony在其後舉行的全球行動通訊大會(Mobile World Congress;MWC)確認了該組件的生產
狀況,並宣布其Xperia XZ Premium和Xperia XZ兩款旗艦級智能手機搭載了具有960fps畫
面更新率的Motion Eye相機模塊。
我們盡可能地在Xperia XZ手機一上市就立刻入手,並橫切其後置相機芯片進行觀察。沒
想到它真的是三層堆棧的感光組件!這款CMOS影像傳感器(CIS)被面對背地安裝在DRAM上
,使得DRAM與影像訊號處理器(ISP)面對面接在一起。
http://imgur.com/TePPMcW
圖1:Sony三層堆棧式CMOS影像傳感器的芯片橫截面
然而,我們似乎是超之過急了,因此,讓我們先來看看Sony的新聞稿以及在ISSCC發表的
論文細節吧!
拆解索尼最新Image Sensor:真的塞了內存,蘋果8靠譜了
http://imgur.com/HGRUQC8
圖2:Sony CMOS影像傳感器的訊號路徑方塊圖
Sony在其較早的19Mp影像傳感器中使用雙模擬/數字轉換器(ADC),為畫素數據進行數字化
。而今,該公司使用4層ADC的結構提高讀取速度,同時也改善了處理能力。DRAM則用於暫
時儲存高速數據,然後再以傳感器接口的最佳速率輸出。該設計使其能以1/120秒讀取
1,930萬畫素的靜態影像,而在影片模式下可達到1,000fps的畫面更新率,較以往產品的
靜態影像與動態影片分別提高了4倍和8倍的速度。
由於在CIS和ISP之間加進了DRAM夾層,高速數據必須經過內存芯片才能到達ISP,然後再
以適於應用處理器的常規速度,來回傳送直到經由ISP的I/F接口區塊進行輸出。
http://imgur.com/LyDtDb2
圖3:Sony新開發配備DRAM的三層堆棧式CMOS影像傳感器
圖3是這種傳感器運作原理的精簡版;但在Sony發表的論文中有更詳細的介紹,包括
960fps如何成像以及慢動作的工作原理。
根據該論文解釋,畫素數組位於裸晶的頂層,DRAM數組和列驅動器位於中間,其餘的區塊
則位於底部的ISP裸晶。我們尚未取得這三層裸晶的照片,但該論文中提供了一些影像。
http://imgur.com/TJeQWxV
圖4:Sony的原理圖中顯示CIS、DRAM與ISP三層堆棧
Sony並指出,該CIS採用90nm製程(1 Al/5 Cu)技術製造,DRAM是1Gb、30nm的(3 Al/1 W)
組件,ISP組件(1 Al/6 Cu)則採用40nm製程。要將各種必要的功能加進相同尺寸的3個裸
晶,而又不至於浪費芯片面積,無疑是一大挑戰。
由於DRAM裸晶上還有CIS列驅動器,因此必須採用客制組件設計,而非我們在近年來看到
以矽穿孔(TSV)封裝的商用DRAM。Sony的芯片橫截面圖並顯示,裸晶中央有一層厚重的氧
化物以及適於讓TVS從上方CIS向下連接的接合焊墊。
http://imgur.com/WcM1WFj
圖5:三層堆棧式影像傳感器芯片橫截面(來源:Sony)
我們還可以看到(在比例尺準確的前提下),CIS和DRAM裸晶基板已經被削薄至小於2.6μm
了,這在背照式CIS (BI-CIS)是十分常見的,但卻是我們所見過最薄的DRAM。從我們自己
所拍攝的影像(圖5)可證實CIS和DRAM的芯片厚度相同,而且也可以看到接合焊墊。
因此,接下來的問題就是——TSV如何在此堆棧中形成?我們的第一款芯片橫截面才剛從
實驗室完成,看起來相當令人熟悉。CIS/DRAM的互連似乎是Sony上一代背照式BI-CIS組件
中的TSV形式之一(圖6)。
http://imgur.com/f5uW5vm
圖6:CIS/DRAM互連採用上一代BI-CIS的TSV形式?
此處可看到兩層TSV將CIS中看起來像6金屬的堆棧連接至DRAM裸晶的M1。我們並未擴展TSV
直接連接CIS與ISP的橫截面圖,不過也存在TSV穿過DRAM連接至ISP頂部金屬的情形。
http://imgur.com/TePPMcW
圖7:CIS與ISP之間能以DRAM接合點進行連接?
CIS/ISP的連接似乎可以採用DRAM接合焊墊層作為互連,以避免在完整的堆棧形成後還得
在兩個裸晶間進行鑽孔的挑戰。
對於IMX400的進一步分析正持續進行中,隨著時間的進展,我們很快地就能夠掌握有關
CIS本身及其封裝堆棧的細節。以產業的觀點來看,Sony可說是再次將手機相機的功能推
至極限。不過,在今年稍晚將會出現的一大疑問是——我們將在下一代iPhone中看到這款
感光組件嗎?
本文版權歸國際電子商情所有。
IMX300當時SONY打著快速對焦,現在IMX400多了DRAM,是手機感光元件第一顆加入DRAM,
加了DRAM,除了960fps這功能外,另外改善的是果凍效應,這功能可以拿XZP/XZs對照別
支手機可以明顯發現,目前這種CMOS仍被SONY自家手機獨佔,我覺得下一代iPhone應該
不會用到這麼黑科技的感光元件,至於下個月的SONY新機應該有機會都是用IMX400吧!
--
拆解索尼最新Image Sensor:果然安装了内存
在今年二月舉行的國際固態電路會議(ISSCC)期間,Sony宣布推出“業界首款配備DRAM的
三層堆棧式CMOS影像傳感器”,這款型號為IMX400的三層堆棧式感光組件(Exmor RS)是專
為智能手機而打造的。
為了加速影像數據處理,業界多年來一直流傳著在互補金屬氧化物半導體(CMOS)影像傳感
器中配備嵌入式動態隨機存取內存(DRAM)的種種消息,但至今尚未看到任何相關產品投入
生產或實際上市。
Sony在ISSCC會議上發表的研究論文揭露了新款感光組件的相關細節,它確實看來像是真
有那麼回事,這當然馬上引起了我們在TechInsights的影像傳感器專家們的關注。接著,
Sony在其後舉行的全球行動通訊大會(Mobile World Congress;MWC)確認了該組件的生產
狀況,並宣布其Xperia XZ Premium和Xperia XZ兩款旗艦級智能手機搭載了具有960fps畫
面更新率的Motion Eye相機模塊。
我們盡可能地在Xperia XZ手機一上市就立刻入手,並橫切其後置相機芯片進行觀察。沒
想到它真的是三層堆棧的感光組件!這款CMOS影像傳感器(CIS)被面對背地安裝在DRAM上
,使得DRAM與影像訊號處理器(ISP)面對面接在一起。
http://imgur.com/TePPMcW
圖1:Sony三層堆棧式CMOS影像傳感器的芯片橫截面
然而,我們似乎是超之過急了,因此,讓我們先來看看Sony的新聞稿以及在ISSCC發表的
論文細節吧!
拆解索尼最新Image Sensor:真的塞了內存,蘋果8靠譜了
http://imgur.com/HGRUQC8
圖2:Sony CMOS影像傳感器的訊號路徑方塊圖
Sony在其較早的19Mp影像傳感器中使用雙模擬/數字轉換器(ADC),為畫素數據進行數字化
。而今,該公司使用4層ADC的結構提高讀取速度,同時也改善了處理能力。DRAM則用於暫
時儲存高速數據,然後再以傳感器接口的最佳速率輸出。該設計使其能以1/120秒讀取
1,930萬畫素的靜態影像,而在影片模式下可達到1,000fps的畫面更新率,較以往產品的
靜態影像與動態影片分別提高了4倍和8倍的速度。
由於在CIS和ISP之間加進了DRAM夾層,高速數據必須經過內存芯片才能到達ISP,然後再
以適於應用處理器的常規速度,來回傳送直到經由ISP的I/F接口區塊進行輸出。
http://imgur.com/LyDtDb2
圖3:Sony新開發配備DRAM的三層堆棧式CMOS影像傳感器
圖3是這種傳感器運作原理的精簡版;但在Sony發表的論文中有更詳細的介紹,包括
960fps如何成像以及慢動作的工作原理。
根據該論文解釋,畫素數組位於裸晶的頂層,DRAM數組和列驅動器位於中間,其餘的區塊
則位於底部的ISP裸晶。我們尚未取得這三層裸晶的照片,但該論文中提供了一些影像。
http://imgur.com/TJeQWxV
圖4:Sony的原理圖中顯示CIS、DRAM與ISP三層堆棧
Sony並指出,該CIS採用90nm製程(1 Al/5 Cu)技術製造,DRAM是1Gb、30nm的(3 Al/1 W)
組件,ISP組件(1 Al/6 Cu)則採用40nm製程。要將各種必要的功能加進相同尺寸的3個裸
晶,而又不至於浪費芯片面積,無疑是一大挑戰。
由於DRAM裸晶上還有CIS列驅動器,因此必須採用客制組件設計,而非我們在近年來看到
以矽穿孔(TSV)封裝的商用DRAM。Sony的芯片橫截面圖並顯示,裸晶中央有一層厚重的氧
化物以及適於讓TVS從上方CIS向下連接的接合焊墊。
http://imgur.com/WcM1WFj
圖5:三層堆棧式影像傳感器芯片橫截面(來源:Sony)
我們還可以看到(在比例尺準確的前提下),CIS和DRAM裸晶基板已經被削薄至小於2.6μm
了,這在背照式CIS (BI-CIS)是十分常見的,但卻是我們所見過最薄的DRAM。從我們自己
所拍攝的影像(圖5)可證實CIS和DRAM的芯片厚度相同,而且也可以看到接合焊墊。
因此,接下來的問題就是——TSV如何在此堆棧中形成?我們的第一款芯片橫截面才剛從
實驗室完成,看起來相當令人熟悉。CIS/DRAM的互連似乎是Sony上一代背照式BI-CIS組件
中的TSV形式之一(圖6)。
http://imgur.com/f5uW5vm
圖6:CIS/DRAM互連採用上一代BI-CIS的TSV形式?
此處可看到兩層TSV將CIS中看起來像6金屬的堆棧連接至DRAM裸晶的M1。我們並未擴展TSV
直接連接CIS與ISP的橫截面圖,不過也存在TSV穿過DRAM連接至ISP頂部金屬的情形。
http://imgur.com/TePPMcW
圖7:CIS與ISP之間能以DRAM接合點進行連接?
CIS/ISP的連接似乎可以採用DRAM接合焊墊層作為互連,以避免在完整的堆棧形成後還得
在兩個裸晶間進行鑽孔的挑戰。
對於IMX400的進一步分析正持續進行中,隨著時間的進展,我們很快地就能夠掌握有關
CIS本身及其封裝堆棧的細節。以產業的觀點來看,Sony可說是再次將手機相機的功能推
至極限。不過,在今年稍晚將會出現的一大疑問是——我們將在下一代iPhone中看到這款
感光組件嗎?
本文版權歸國際電子商情所有。
IMX300當時SONY打著快速對焦,現在IMX400多了DRAM,是手機感光元件第一顆加入DRAM,
加了DRAM,除了960fps這功能外,另外改善的是果凍效應,這功能可以拿XZP/XZs對照別
支手機可以明顯發現,目前這種CMOS仍被SONY自家手機獨佔,我覺得下一代iPhone應該
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